QS5U33TR详细
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5
QS5U33TR参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:-,FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物,FET 功能:二极管（隔离式）,漏源极电压 (Vdss):30V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:2A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:135 毫欧 @ 2A，10V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.4nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):310pF @ 10V,功率 - 最大值:900mW,安装类型:表面贴装,封装/外壳:SOT-23-5 细型，TSOT-23-5,供应商器件封装:TSMT5
